Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. 13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.
Спецификация:

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 8 до 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-220

Подключение: